DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1078| Назва: | Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe |
| Інші назви: | Topology and Photoelectric Properties of Heterostructure p-GaTe – n-InSe |
| Автори: | Катеринчук, Валерій Миколайович Кушнір, Б. В. Кудринський, Захар Русланович Ковалюк, Захар Дмитрович Ткачук, Іван Георгійович Литвин, Оксана Степанівна |
| Ключові слова: | шаруваті кристали гетеропереходи АСМ-зображення спектральні характеристики |
| Дата публікації: | 2016 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 507-510. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджені фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe – n-InSe, що сформовані методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетерограниці p-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. Побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe – n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1078 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 17, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1232-5955-1-PB.pdf | 1.01 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.