Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10757
Назва: | До проблеми сегрегації домішок рідкісноземельних елементів у кристалах AIVB VI , вирощуваних з легованих розплавів |
Інші назви: | The Problem of Segregation of Rare-Earth Impurities in Iv-Vi Semiconductors Grown from Doped Melts |
Автори: | Заячук, Дмитро Михайлович Ільїна, О. С. |
Ключові слова: | легування метод Бріджмена сегрегація домішки рідкісноземельних елементів |
Дата публікації: | 2013 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Заячук Д. М. До проблеми сегрегації домішок рідкісноземельних елементів у кристалах AIVB VI , вирощуваних з легованих розплавів / Д. М. Заячук, О. С. Ільїна // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 54-61. |
Короткий огляд (реферат): | Проаналізовано результати немонотонного розподілу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) у кристалах A IVB VI , вирощених з розплаву методом Бріджмена і легованих домішками в процесі росту. Аналіз проведено в рамках лінійної та квадратичної залежностей температури ліквідусу TL і температури солідусу TS системи “A IVB VI – домішка РЗЕ” від вмісту домішки x за малої концентрації домішки. Показано, що нелінійність залежностей TL(x) і TS(х) суттєво змінює профілі розподілу домішки вздовж легованих кристалів, але за фізично обґрунтованих залежностей температур ліквідусу і солідусу від концентрації домішки не може приводити до немонотонного характеру профілів її розподілу. Зроблено висновок, що немонотонності типу максимуму на координатній залежності концентрації легуючої домішки РЗЕ в легованих кристалах A IVB VI спричинені не характером діаграм стану “A IVB VI – домішка РЗЕ”, а мають сугубо технологічне походження. Висунуто припущення, що найбільш імовірною причиною немонотонності концентраційних профілів розподілу легуючих домішок РЗЕ вздовж легованих кристалів A IVB VI є формування комплексів легуючої і фонових домішок в кристалі, в першу чергу – комплексів домішок РЗЕ і кисню, який завжди присутній у процесі вирощування кристалів PbTe з розплаву. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10757 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 1 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1401-07.pdf | 223.27 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.