Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10757
Title: | До проблеми сегрегації домішок рідкісноземельних елементів у кристалах AIVB VI , вирощуваних з легованих розплавів |
Other Titles: | The Problem of Segregation of Rare-Earth Impurities in Iv-Vi Semiconductors Grown from Doped Melts |
Authors: | Заячук, Дмитро Михайлович Ільїна, О. С. |
Keywords: | легування метод Бріджмена сегрегація домішки рідкісноземельних елементів |
Issue Date: | 2013 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Заячук Д. М. До проблеми сегрегації домішок рідкісноземельних елементів у кристалах AIVB VI , вирощуваних з легованих розплавів / Д. М. Заячук, О. С. Ільїна // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 54-61. |
Abstract: | Проаналізовано результати немонотонного розподілу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) у кристалах A IVB VI , вирощених з розплаву методом Бріджмена і легованих домішками в процесі росту. Аналіз проведено в рамках лінійної та квадратичної залежностей температури ліквідусу TL і температури солідусу TS системи “A IVB VI – домішка РЗЕ” від вмісту домішки x за малої концентрації домішки. Показано, що нелінійність залежностей TL(x) і TS(х) суттєво змінює профілі розподілу домішки вздовж легованих кристалів, але за фізично обґрунтованих залежностей температур ліквідусу і солідусу від концентрації домішки не може приводити до немонотонного характеру профілів її розподілу. Зроблено висновок, що немонотонності типу максимуму на координатній залежності концентрації легуючої домішки РЗЕ в легованих кристалах A IVB VI спричинені не характером діаграм стану “A IVB VI – домішка РЗЕ”, а мають сугубо технологічне походження. Висунуто припущення, що найбільш імовірною причиною немонотонності концентраційних профілів розподілу легуючих домішок РЗЕ вздовж легованих кристалів A IVB VI є формування комплексів легуючої і фонових домішок в кристалі, в першу чергу – комплексів домішок РЗЕ і кисню, який завжди присутній у процесі вирощування кристалів PbTe з розплаву. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10757 |
Appears in Collections: | Т. 14, № 1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1401-07.pdf | 223.27 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.