Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10747
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Гайдар, Галина Петрівна | - |
dc.date.accessioned | 2021-08-25T08:25:02Z | - |
dc.date.available | 2021-08-25T08:25:02Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Гайдар Г. П. Механізми формування анізотропії термоелектричних і термомагнітних явищ у багатодолинних напівпровідниках / Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 7-20. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/10747 | - |
dc.description.abstract | У роботі детально розглянуто механізми формування і способи виявлення макроскопічної анізотропії властивостей багатодолинних напівпровідників кубічної симетрії під дією направлених зовнішніх впливів (одновісна пружна деформація, магнітні (неквантуючі) поля довільної напруженості). Встановлено зв'язок між недіагональними компонентами тензора термо-ЕРС. aˆ як для n-Si, так і для n-Ge, а також з'ясовано причини, які приводять у випадку багатодолинних напівпровідників (навіть при незначній анізотропії розсіяння) до комутаційного ефекту, характерного для недіагональних компонентів. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | германій | uk_UA |
dc.subject | кремній | uk_UA |
dc.subject | термоелектричні явища | uk_UA |
dc.subject | термомагнітні явища | uk_UA |
dc.title | Механізми формування анізотропії термоелектричних і термомагнітних явищ у багатодолинних напівпровідниках | uk_UA |
dc.title.alternative | Mechanisms of the Anisotropy Formation of Thermoelectric and Thermomagnetic Phenomena in the Multivalley Semiconductors | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 14, № 1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1401-01.pdf | 266.27 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.