Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10747
Назва: Механізми формування анізотропії термоелектричних і термомагнітних явищ у багатодолинних напівпровідниках
Інші назви: Mechanisms of the Anisotropy Formation of Thermoelectric and Thermomagnetic Phenomena in the Multivalley Semiconductors
Автори: Гайдар, Галина Петрівна
Ключові слова: германій
кремній
термоелектричні явища
термомагнітні явища
Дата публікації: 2013
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Гайдар Г. П. Механізми формування анізотропії термоелектричних і термомагнітних явищ у багатодолинних напівпровідниках / Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 7-20.
Короткий огляд (реферат): У роботі детально розглянуто механізми формування і способи виявлення макроскопічної анізотропії властивостей багатодолинних напівпровідників кубічної симетрії під дією направлених зовнішніх впливів (одновісна пружна деформація, магнітні (неквантуючі) поля довільної напруженості). Встановлено зв'язок між недіагональними компонентами тензора термо-ЕРС. aˆ як для n-Si, так і для n-Ge, а також з'ясовано причини, які приводять у випадку багатодолинних напівпровідників (навіть при незначній анізотропії розсіяння) до комутаційного ефекту, характерного для недіагональних компонентів.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/10747
Розташовується у зібраннях:Т. 14, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1401-01.pdf266.27 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.