DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10738| Назва: | Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією |
| Інші назви: | Models Semiinsulating Layers of Gallium Arsenide in Their Formation of Multiply Charged Ion Implantation |
| Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Марчук, С. М. Варварук, В. М. Мельник, Л. В. |
| Ключові слова: | арсенід-галієва технологія багатозарядна імплантація фонові домішки |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, В. М. Варварук, Л. В. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 872-878. |
| Короткий огляд (реферат): | Розроблена технологія багатозарядної імплантації домішок, які дозволяють формувати латеральні та вертикальні ізолюючі шари. Проведені експериментальні дослідження по створенню високоомних та термостабільних ізолюючих шарів в іонно-легованих n+ -n- -i-структурах на напівізолюючому GaAs. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10738 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1504-31.pdf | 313.27 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.