Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10736
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorГаврилюк, Олександр Олександрович-
dc.contributor.authorСемчук, Олександр Юрійович-
dc.date.accessioned2021-08-20T09:17:09Z-
dc.date.available2021-08-20T09:17:09Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationГаврилюк О. О. Розповсюдження температурних профілів в нестехіометричних плівках SiOx при лазерному відпалі двома пучками / О. О. Гаврилюк, О. Ю. Семчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 862-867.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10736-
dc.description.abstractПроведено теоретичне дослідження розповсюдження температурних профілів в нестехіометричних плівках SiOx при відпалі двома лазерними променями однакової інтенсивності. Розраховано розподіл температури на поверхні плівок SiOx, опромінених лазерними променями на різних відстанях один від одного. Показано, що при лазерному відпалі з інтенсивністю 52 МВт/м 2 температура на поверхні плівок SiOx може досягати 1800 К. Температура на поверхні зразка в міжлазерному проміжку недостатня, щоб стимулювати фазовий перехід плівки SiOx в нанокомпозитну плівку SiO2(Si) з кремнієвими нанокристалами. Наночастинки кремнію утворюються точно по позиціях пікової інтенсивності лазерного випромінювання.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectнестехіометричні плівкиuk_UA
dc.subjectтеплопровідністьuk_UA
dc.subjectнанокристалиuk_UA
dc.subjectлазерний відпалuk_UA
dc.titleРозповсюдження температурних профілів в нестехіометричних плівках SiOx при лазерному відпалі двома пучкамиuk_UA
dc.title.alternativeDistribution of Temperature Profiles in Nonstoichiometric SiOx Films by Laser Annealing of the Two Beamsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 15, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1504-29.pdf1.03 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.