1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2014
  6. Т. 15, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10736
Назва: Розповсюдження температурних профілів в нестехіометричних плівках SiOx при лазерному відпалі двома пучками
Інші назви: Distribution of Temperature Profiles in Nonstoichiometric SiOx Films by Laser Annealing of the Two Beams
Автори: Гаврилюк, Олександр Олександрович
Семчук, Олександр Юрійович
Ключові слова: нестехіометричні плівки
теплопровідність
нанокристали
лазерний відпал
Дата публікації: 2014
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Гаврилюк О. О. Розповсюдження температурних профілів в нестехіометричних плівках SiOx при лазерному відпалі двома пучками / О. О. Гаврилюк, О. Ю. Семчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 862-867.
Короткий огляд (реферат): Проведено теоретичне дослідження розповсюдження температурних профілів в нестехіометричних плівках SiOx при відпалі двома лазерними променями однакової інтенсивності. Розраховано розподіл температури на поверхні плівок SiOx, опромінених лазерними променями на різних відстанях один від одного. Показано, що при лазерному відпалі з інтенсивністю 52 МВт/м 2 температура на поверхні плівок SiOx може досягати 1800 К. Температура на поверхні зразка в міжлазерному проміжку недостатня, щоб стимулювати фазовий перехід плівки SiOx в нанокомпозитну плівку SiO2(Si) з кремнієвими нанокристалами. Наночастинки кремнію утворюються точно по позиціях пікової інтенсивності лазерного випромінювання.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/10736
Розташовується у зібраннях:Т. 15, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1504-29.pdf1.03 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.