Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності напівпровідників

Abstract

В даній роботі представлені результати оптичних досліджень спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) та CdTe(111) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см2 . Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об’єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару n n i s s s % = + c відрізняється від комплексного показника заломлення об’єму матеріалу n n i v v v % = + c ). Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі (УХ), температури поверхні, глибини плавлення Si та CdTe при лазерному опроміненні.