Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10735
Title: Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності напівпровідників
Other Titles: Laser-Stimulated Increase Reflectivity of Semiconductors
Authors: Генцарь, Петро Олексійович
Власенко, Олександр Іванович
Левицький, Сергій Миколайович
Гнатюк, Володимир Анастасійович
Keywords: лазерне опромінення
спектри відбивання
ударна хвиля
температура поверхні
Issue Date: 2014
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Генцарь П. О. Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності напівпровідників / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький, В. А. Гнатюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 856-861.
Abstract: В даній роботі представлені результати оптичних досліджень спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) та CdTe(111) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см2 . Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об’єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару n n i s s s % = + c відрізняється від комплексного показника заломлення об’єму матеріалу n n i v v v % = + c ). Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі (УХ), температури поверхні, глибини плавлення Si та CdTe при лазерному опроміненні.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/10735
Appears in Collections:Т. 15, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1504-28.pdf171.94 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.