Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10735
Title: | Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності напівпровідників |
Other Titles: | Laser-Stimulated Increase Reflectivity of Semiconductors |
Authors: | Генцарь, Петро Олексійович Власенко, Олександр Іванович Левицький, Сергій Миколайович Гнатюк, Володимир Анастасійович |
Keywords: | лазерне опромінення спектри відбивання ударна хвиля температура поверхні |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Генцарь П. О. Лазерно-стимульоване збільшення відбиваючої здатності напівпровідників / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, С. М. Левицький, В. А. Гнатюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 856-861. |
Abstract: | В даній роботі представлені результати оптичних досліджень спектрів відбивання монокристалів n-Si(100) та CdTe(111) в діапазоні 0,2 - 1,7 мкм до та після лазерного опромінення в інтервалі енергій 66 - 164 мДж/см2 . Експериментально показано збільшення відбиваючої здатності досліджуваних кристалів при даній лазерній обробці. Даний інтегральний ефект пояснюється відмінностями оптичних характеристик приповерхневого шару та об’єму матеріалу (комплексний показник заломлення приповерхневого шару n n i s s s % = + c відрізняється від комплексного показника заломлення об’єму матеріалу n n i v v v % = + c ). Розглянуто механізми лазерного опромінення. Розраховано залежності глибини утворення ударної хвилі (УХ), температури поверхні, глибини плавлення Si та CdTe при лазерному опроміненні. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10735 |
Appears in Collections: | Т. 15, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1504-28.pdf | 171.94 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.