Модель масової кристалізації в шарах невеликої товщини

Abstract

Запропоновано модель масової кристалізації, яка дозволяє враховувати ефект блокування кристалів, що ростуть, поверхнями тонких шарів розплавів чи швидкозагартованих аморфних стрічок. Отримані кінетичні рівняння, які описують внески у частку перетвореного об’єму кристалів, що зароджуються на значних віддаленнях від поверхонь і зберігають протягом всього періоду твердіння вихідну сферичну форму, а також кристалів, що утворюються в приповерхневих критичних зонах, зазнають блокувальної дії поверхонь та набувають форму усіченої сфери. Виконано аналіз граничних варіантів моделі. Показано, що при використанні розробленого підходу розрахункові значення частки закристалізованого об’єму знижуються до 25 %.