Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10724
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorЛевкун, М. П.-
dc.contributor.authorБойчук, Володимира Михайлівна-
dc.contributor.authorГургула, Галина Ярославівна-
dc.contributor.authorЮрчишин, Любов Дмитрівна-
dc.date.accessioned2021-08-19T08:24:25Z-
dc.date.available2021-08-19T08:24:25Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationФреїк Д. М. Кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми у легованих і відпалених у шарі селену кристалах ZnSe:Mn / Д. М. Фреїк, М. П. Левкун, В. М. Бойчук, Г. Я. Гургула, Л. Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 784-791.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10724-
dc.description.abstractНа основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул для легованих манганом кристалів nZnSе:Mn та p-ZnSе:Mn розраховано залежності концентрації переважаючих точкових дефектів, вільних носіїв та холлівської концентрації від вмісту легуючої домішки Mn. Підтверджено донорну дію мангану. Показано, що відпал кристалів n-ZnSе:Mn у парі Se призводить до зменшення концентрації електронів, а у кристалах р-ZnSе:Mn‹Se› має місце зростання основних носіїв струму.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectкристалохімічний аналізuk_UA
dc.subjectконцентрація точкових дефектівuk_UA
dc.titleКристалохімічний аналіз дефектної підсистеми у легованих і відпалених у шарі селену кристалах ZnSe:Mnuk_UA
dc.title.alternativeCrystal defect analysis subsystem alloyed and annealed in a layer of selenium crystals ZnSe:Mnuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 15, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1504-17.pdf598.98 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.