Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10724
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Фреїк, Дмитро Михайлович | - |
dc.contributor.author | Левкун, М. П. | - |
dc.contributor.author | Бойчук, Володимира Михайлівна | - |
dc.contributor.author | Гургула, Галина Ярославівна | - |
dc.contributor.author | Юрчишин, Любов Дмитрівна | - |
dc.date.accessioned | 2021-08-19T08:24:25Z | - |
dc.date.available | 2021-08-19T08:24:25Z | - |
dc.date.issued | 2014 | - |
dc.identifier.citation | Фреїк Д. М. Кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми у легованих і відпалених у шарі селену кристалах ZnSe:Mn / Д. М. Фреїк, М. П. Левкун, В. М. Бойчук, Г. Я. Гургула, Л. Д. Юрчишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 784-791. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/10724 | - |
dc.description.abstract | На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул для легованих манганом кристалів nZnSе:Mn та p-ZnSе:Mn розраховано залежності концентрації переважаючих точкових дефектів, вільних носіїв та холлівської концентрації від вмісту легуючої домішки Mn. Підтверджено донорну дію мангану. Показано, що відпал кристалів n-ZnSе:Mn у парі Se призводить до зменшення концентрації електронів, а у кристалах р-ZnSе:Mn‹Se› має місце зростання основних носіїв струму. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | кристалохімічний аналіз | uk_UA |
dc.subject | концентрація точкових дефектів | uk_UA |
dc.title | Кристалохімічний аналіз дефектної підсистеми у легованих і відпалених у шарі селену кристалах ZnSe:Mn | uk_UA |
dc.title.alternative | Crystal defect analysis subsystem alloyed and annealed in a layer of selenium crystals ZnSe:Mn | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 15, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1504-17.pdf | 598.98 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.