Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10721
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Фреїк, Дмитро Михайлович | - |
dc.contributor.author | Туровська, Лілія Вадимівна | - |
dc.contributor.author | Горічок, Ігор Володимирович | - |
dc.contributor.author | Матківський, Остап Миколайович | - |
dc.date.accessioned | 2021-08-19T07:33:48Z | - |
dc.date.available | 2021-08-19T07:33:48Z | - |
dc.date.issued | 2014 | - |
dc.identifier.citation | Фреїк Д. М. Кристалохімічне представлення амфотерного впливу домішки вісмуту у станум телуриді / Д. М. Фреїк, Л. В. Туровська, І. В. Горічок, О. М. Матківський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 774-779. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/10721 | - |
dc.description.abstract | Запропоновано моделі точкових дефектів у легованих вісмутом кристалах станум телуриду з урахуванням амфотерної дії домішки ( 3 3 Bi , Bi + - ). З’ясовано вплив величини диспропорціонування зарядового стану домішки на зміну концентрації носіїв заряду. На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул розраховано залежності концентрації точкових дефектів, холлівської концентрації носіїв заряду від вмісту легуючої домішки. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | станум телурид | uk_UA |
dc.subject | точкові дефекти | uk_UA |
dc.subject | легування | uk_UA |
dc.subject | вісмут | uk_UA |
dc.title | Кристалохімічне представлення амфотерного впливу домішки вісмуту у станум телуриді | uk_UA |
dc.title.alternative | Crystal-Chemical Interpretation of Amphoteric Influence of Bismuth Impurity in Tin Telluride | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 15, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1504-15.pdf | 468.48 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.