DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10719| Назва: | Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe |
| Інші назви: | Topology of Surface of ZnO thin Oxide Film Formed on GaSe Layered Crystal Surface |
| Автори: | Кушнір, Б. В. Кудринський, Захар Русланович Камінський, Василь Миколайович Хомяк, В. В. |
| Ключові слова: | селенід галію тонка плівка гетероперехід АСМ-зображення ZnO |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Кушнір Б. В. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe / Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, В. М. Камінський, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 763-766. |
| Короткий огляд (реферат): | Методом магнетронного напилення створено гетероструктуру n-ZnO - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, що сформована на свіжосколотій поверхні шаруватого кристалу GaSe; встановлена область спектральної чутливості. Показано, що плівка ZnO має гексагональну структуру. Методом АСМ-зображень встановлено, що тонка оксидна плівка ZnO має зернисту структуру; виявлені багаточисленні канали, що свідчать про складний характер змочування підкладки оксидом цинку. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10719 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1504-13.pdf | 564.17 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.