Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10719
Title: | Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe |
Other Titles: | Topology of Surface of ZnO thin Oxide Film Formed on GaSe Layered Crystal Surface |
Authors: | Кушнір, Б. В. Кудринський, Захар Русланович Камінський, Василь Миколайович Хомяк, В. В. |
Keywords: | селенід галію тонка плівка гетероперехід АСМ-зображення ZnO |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Кушнір Б. В. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe / Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, В. М. Камінський, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 763-766. |
Abstract: | Методом магнетронного напилення створено гетероструктуру n-ZnO - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, що сформована на свіжосколотій поверхні шаруватого кристалу GaSe; встановлена область спектральної чутливості. Показано, що плівка ZnO має гексагональну структуру. Методом АСМ-зображень встановлено, що тонка оксидна плівка ZnO має зернисту структуру; виявлені багаточисленні канали, що свідчать про складний характер змочування підкладки оксидом цинку. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10719 |
Appears in Collections: | Т. 15, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1504-13.pdf | 564.17 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.