Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10719
Title: Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe
Other Titles: Topology of Surface of ZnO thin Oxide Film Formed on GaSe Layered Crystal Surface
Authors: Кушнір, Б. В.
Кудринський, Захар Русланович
Камінський, Василь Миколайович
Хомяк, В. В.
Keywords: селенід галію
тонка плівка
гетероперехід
АСМ-зображення
ZnO
Issue Date: 2014
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Кушнір Б. В. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, сформованої на поверхні шаруватого кристалу GaSe / Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, В. М. Камінський, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 763-766.
Abstract: Методом магнетронного напилення створено гетероструктуру n-ZnO - p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки ZnO, що сформована на свіжосколотій поверхні шаруватого кристалу GaSe; встановлена область спектральної чутливості. Показано, що плівка ZnO має гексагональну структуру. Методом АСМ-зображень встановлено, що тонка оксидна плівка ZnO має зернисту структуру; виявлені багаточисленні канали, що свідчать про складний характер змочування підкладки оксидом цинку.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/10719
Appears in Collections:Т. 15, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1504-13.pdf564.17 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.