Моделювання розподілу потенціалу в бар’єрній структурі Шотткі з вбудованим шаром квантових точок

Abstract

Побудовано математичну модель розподілу електростатичного потенціалу в поверхнево-бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром квантових точок (КТ). Встановлено, що результуюче електричне поле в бар’єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром КТ визначається суперпозицією двох полів: електричного поля EBS v , створеного на межі контакту метал – n-напівпровідник з вбудованим шаром КТ та електричного поля EQD v , зумовленого на межі поділу КТ − напівпровідникова матриця з КТ. Показано, що потенціал вздовж напрямку розміщення КТ має осциляційний характер. Період осциляції визначається кроком розміщення КТ. У напрямку, перпендикулярному до межі контакту метал – легований n-типу напівпровідник з КТ, потенціал має спадний експоненційний характер.