Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10708
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРувінський, Борис Маркович-
dc.contributor.authorРувінський, Марк Аунович-
dc.date.accessioned2021-08-18T08:00:17Z-
dc.date.available2021-08-18T08:00:17Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationРувінський Б. М. Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 689-692.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10708-
dc.description.abstractВизначено електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту, зумовлені випадковим полем гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв струму. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з GaAs при низьких температурах і допускає принципову можливість підвищення величини термоерс порівняно з випадком масивного тривимірного зразка.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectквантовий напівпровідниковий дрітuk_UA
dc.subjectгауссові флуктуації товщиниuk_UA
dc.subjectелектропровідністьuk_UA
dc.subjectтермоерсuk_UA
dc.titleВплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дротуuk_UA
dc.title.alternativeThe Influence of Thickness Fluctuations on the Electroconductivity and Thermopower of Quantum Semiconductor Wireuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 15, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1504-02.pdf120.43 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.