Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10708
Назва: | Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту |
Інші назви: | The Influence of Thickness Fluctuations on the Electroconductivity and Thermopower of Quantum Semiconductor Wire |
Автори: | Рувінський, Борис Маркович Рувінський, Марк Аунович |
Ключові слова: | квантовий напівпровідниковий дріт гауссові флуктуації товщини електропровідність термоерс |
Дата публікації: | 2014 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Рувінський Б. М. Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 689-692. |
Короткий огляд (реферат): | Визначено електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту, зумовлені випадковим полем гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв струму. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з GaAs при низьких температурах і допускає принципову можливість підвищення величини термоерс порівняно з випадком масивного тривимірного зразка. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10708 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 4 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
!1504-02.pdf | 120.43 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.