Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10708
Title: Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту
Other Titles: The Influence of Thickness Fluctuations on the Electroconductivity and Thermopower of Quantum Semiconductor Wire
Authors: Рувінський, Борис Маркович
Рувінський, Марк Аунович
Keywords: квантовий напівпровідниковий дріт
гауссові флуктуації товщини
електропровідність
термоерс
Issue Date: 2014
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Рувінський Б. М. Вплив флуктуацій товщини на електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту / Б. М. Рувінський, М. А. Рувінський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 4. - С. 689-692.
Abstract: Визначено електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту, зумовлені випадковим полем гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв струму. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з GaAs при низьких температурах і допускає принципову можливість підвищення величини термоерс порівняно з випадком масивного тривимірного зразка.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/10708
Appears in Collections:Т. 15, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1504-02.pdf120.43 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.