Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1047
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСтецун, Аполлінарій Іванович-
dc.date.accessioned2019-12-19T09:34:57Z-
dc.date.available2019-12-19T09:34:57Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationСтецун А. І. Густина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену / А. І. Стецун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 3. - С. 372-374.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1047-
dc.description.abstractДана робота присвячена розрахунку густини електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібдену. Для цього використовувались формули, одержані на основі теорії Нобелівського Лауреата Н. Мотта та Е. Девіса. Встановлено, що електронні стани у вершині валентної зони даного матеріалу обумовлені d-електронами молібдену, p-електронами кремнію та p-електронами молібдену.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectаморфна плівкаuk_UA
dc.subjectдисиліцидмолібденуuk_UA
dc.titleГустина електронних станів аморфної плівки дисиліциду молібденуuk_UA
dc.title.alternativeThe Density of MoSi2 Electron States for the Amorphous Filmuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 17, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1442-5874-1-PB.pdf116.7 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.