Вплив легування і двотемпературного відпалу на дефектну підсистему CdTe:Br

Abstract

Досліджено і проаналізовано вплив домішки та умов відпалу на електричні властивості легованих бромом монокристалів кадмій телуриду, вирощених методом Бріджмена та відпалених в атмосфері кадмію при температурах Т = 800-1100 К та тисках пари металу PCd = 103 -105 Па. Запропоновано квазіхімічні реакції утворення точкових дефектів у легованому матеріалі та розраховано залежності концентрації вільних носіїв заряду і переважаючих точкових дефектів від технологічних параметрів двотемпературного відпалу. Встановлено тип домінуючих точкових дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу. Визначено константу рівноваги утворення комплексів домішкових дефектів заміщення з власними точковими дефектами 2 Cd Te (V Br ) - + - .