Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10430
Title: Вплив легування і двотемпературного відпалу на дефектну підсистему CdTe:Br
Other Titles: Influence of Doping and Two-temperature Annealing on CdTe:Br Defective Subsystem
Authors: Писклинець, Уляна Михайлівна
Фочук, Петро Михайлович
Горічок, Ігор Володимирович
Прокопів, Володимир Васильович
Соколов, Олександр Леонідович
Keywords: кадмій телурид
точкові дефекти
легування
квазіхімічні реакції дефектоутворення
Issue Date: 2014
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Писклинець У. М. Вплив легування і двотемпературного відпалу на дефектну підсистему CdTe:Br / У. М. Писклинець, П. М. Фочук, І. В. Горічок, В. В. Прокопів, О. Л. Соколов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 3. - С. 569-574.
Abstract: Досліджено і проаналізовано вплив домішки та умов відпалу на електричні властивості легованих бромом монокристалів кадмій телуриду, вирощених методом Бріджмена та відпалених в атмосфері кадмію при температурах Т = 800-1100 К та тисках пари металу PCd = 103 -105 Па. Запропоновано квазіхімічні реакції утворення точкових дефектів у легованому матеріалі та розраховано залежності концентрації вільних носіїв заряду і переважаючих точкових дефектів від технологічних параметрів двотемпературного відпалу. Встановлено тип домінуючих точкових дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу. Визначено константу рівноваги утворення комплексів домішкових дефектів заміщення з власними точковими дефектами 2 Cd Te (V Br ) - + - .
URI: http://hdl.handle.net/123456789/10430
Appears in Collections:Т. 15, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1503-19.pdf210.64 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.