Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10430
Title: | Вплив легування і двотемпературного відпалу на дефектну підсистему CdTe:Br |
Other Titles: | Influence of Doping and Two-temperature Annealing on CdTe:Br Defective Subsystem |
Authors: | Писклинець, Уляна Михайлівна Фочук, Петро Михайлович Горічок, Ігор Володимирович Прокопів, Володимир Васильович Соколов, Олександр Леонідович |
Keywords: | кадмій телурид точкові дефекти легування квазіхімічні реакції дефектоутворення |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Писклинець У. М. Вплив легування і двотемпературного відпалу на дефектну підсистему CdTe:Br / У. М. Писклинець, П. М. Фочук, І. В. Горічок, В. В. Прокопів, О. Л. Соколов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 3. - С. 569-574. |
Abstract: | Досліджено і проаналізовано вплив домішки та умов відпалу на електричні властивості легованих бромом монокристалів кадмій телуриду, вирощених методом Бріджмена та відпалених в атмосфері кадмію при температурах Т = 800-1100 К та тисках пари металу PCd = 103 -105 Па. Запропоновано квазіхімічні реакції утворення точкових дефектів у легованому матеріалі та розраховано залежності концентрації вільних носіїв заряду і переважаючих точкових дефектів від технологічних параметрів двотемпературного відпалу. Встановлено тип домінуючих точкових дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу. Визначено константу рівноваги утворення комплексів домішкових дефектів заміщення з власними точковими дефектами 2 Cd Te (V Br ) - + - . |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10430 |
Appears in Collections: | Т. 15, № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1503-19.pdf | 210.64 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.