Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1040
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorБенько, Тарас Григорович-
dc.contributor.authorКогут, Ігор Тимофійович-
dc.date.accessioned2019-12-13T08:54:06Z-
dc.date.available2019-12-13T08:54:06Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Особливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використань / С. П. Новосядлий, Т. Г. Бенько, І. Т. Когут // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 311-317uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1040-
dc.description.abstractВ даній статті проаналізовано структуру арсенід галієвого ПТШ на кремнієвій підкладці, придатногодля локальної інтеграції в КНІ-технології та метод його електрофізичного діагностування на основі змінтеплового опору RT. Відомо, що теплопровідність GaAs в 3 - 4 рази є гіршою порівняно кремнієм. Щобусунути цей недолік було розроблено технологію формування приладних швидкісних GaAs-структур наповерхні кремнієвої підкладки.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectпольовий транзисторuk_UA
dc.subjectтепловий опірuk_UA
dc.subjectелектрофізичне діагностуванняuk_UA
dc.titleОсобливості електрофізичного діагностування польових транзисторів Шотткі на епітаксійних шарах GaAs на кремнієвих підкладках для мікросистемних використаньuk_UA
dc.title.alternativeFeatures of Electrophysical Diagnostics of Schottky Field Transistors Based on GaAs Epitaxial Layers on Silicon Substrates for Microsystem Applicationsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.20, №3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3969-11747-1-PB.pdf675.72 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.