Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1039
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТур, Ю. В.-
dc.contributor.authorПавловський, Юрій Вікторович-
dc.contributor.authorВірт, Ігор Степанович-
dc.date.accessioned2019-12-13T08:21:36Z-
dc.date.available2019-12-13T08:21:36Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationТур Ю. В. Вимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Хармана / Ю. В. Тур, Ю. В. Павловський, І. С. Вірт // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 306-310uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1039-
dc.description.abstractДля аналізу вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідників, використано імпульсний метод Хармана Запропоновано новий підхід для визначення термоелектричної добротності тонких напівпровідникових плівок у інтервалі температур (300÷500)К шляхом безпосереднього вимірювання ряду параметрів електричного кола. Детально описано теорію методу, застосування його у методиці вимірювань. Досліджено залежності електричних величин, зокрема напруги - V(t), від часу при різних значеннях імпульсів струму для тонких плівок PbTe<Tl> вирощених імпульсним лазерним осадженням.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectтонкі плівкиuk_UA
dc.subjectтелурид свинцюuk_UA
dc.subjectтермоелектрична добротністьuk_UA
dc.subjectметод Харманаuk_UA
dc.subjectімпульсно-лазерне осадженняuk_UA
dc.titleВимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Харманаuk_UA
dc.title.alternativeMeasurement of Thermoelectric Parameters of Thin-Film Semiconductor Materials Using the Harman Methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.20, №3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3974-11745-1-PB.pdf775.94 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.