1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2019
  6. Т.20, №3
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/1039
Назва: Вимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Хармана
Інші назви: Measurement of Thermoelectric Parameters of Thin-Film Semiconductor Materials Using the Harman Method
Автори: Тур, Ю. В.
Павловський, Юрій Вікторович
Вірт, Ігор Степанович
Ключові слова: тонкі плівки
телурид свинцю
термоелектрична добротність
метод Хармана
імпульсно-лазерне осадження
Дата публікації: 2019
Бібліографічний опис: Тур Ю. В. Вимірювання термоелектричних параметрів тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів методом Хармана / Ю. В. Тур, Ю. В. Павловський, І. С. Вірт // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 306-310
Короткий огляд (реферат): Для аналізу вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідників, використано імпульсний метод Хармана Запропоновано новий підхід для визначення термоелектричної добротності тонких напівпровідникових плівок у інтервалі температур (300÷500)К шляхом безпосереднього вимірювання ряду параметрів електричного кола. Детально описано теорію методу, застосування його у методиці вимірювань. Досліджено залежності електричних величин, зокрема напруги - V(t), від часу при різних значеннях імпульсів струму для тонких плівок PbTe<Tl> вирощених імпульсним лазерним осадженням.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/1039
Розташовується у зібраннях:Т.20, №3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3974-11745-1-PB.pdf775.94 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.