DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10308| Назва: | Компенсаційний ефект в кінетиці хімічного травлення твердих розчинів Cd1-xMnxTe |
| Інші назви: | Compensation Effect in the Kinetics of the Cd1-xMnxTe Solid Solution Chemical Etching |
| Автори: | Денисюк, Роман Олександрович |
| Ключові слова: | кадмій телурид тверді розчини енергія активації рівняння Арреніуса компенсаційний ефект |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Денисюк Р. О. Компенсаційний ефект в кінетиці хімічного травлення твердих розчинів Cd1-xMnxTe / Р. О. Денисюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 2. - С. 344-347. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджено кінетику хіміко-динамічного полірування монокристалів CdTe та Cd1-xMnxTe (0,3< х <0,5) травниками систем І2–розчинник та НІ – Н2О2 – органічна кислота. З отриманих температурних залежностей визначено уявні енергії активації взаємодії досліджуваних напівпровідників із вказаними розчинами. Встановлено існування компенсаційної залежності в процесі хімічного полірування та визначено вплив складу розчинника на цю залежність. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10308 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1502-20.pdf | 126.56 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.