Електрична провідність у надґратках сферичних квантових точок

Abstract

В роботі досліджуються електричні властивості напівпровідникових систем сферичних квантових точок GaAs/AlxGa1-xAs різної вимірності, в залежності від енергії рівня Фермі та температури, концентрації алюмінію в матриці. Отримані залежності групової швидкості електронів від індексу мінізони. Зменшення радіусу КТ, як і збільшення концентрації алюмінію в матриці, призводить до росту групової швидкості. Зміна знаку групової швидкості окремих мінізон зумовлена поведінкою ізоенергетичних поверхонь цих мінізон. Обчислено електропровідність, що містить внески s- i трьох р-мінізон для заданих параметрів системи, максимум якої знаходиться біля центру мінізони. Ріст електропровідності спостерігається при зменшенні радіуса КТ та концентрації алюмінію, а також зі зменшенням вимірності надґратки GaAs/AlxGa1-xAs. Досліджено також температурну залежність електропровідності для різних параметрів таких систем.