DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10271| Назва: | Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик твердого розчину HfNi1-xRuxSn |
| Інші назви: | Features of the Structural, Energetic and Kinetic Properties HfNi1-xRuxSn Solid Solution |
| Автори: | Ромака, Володимир Афанасійович Рогль, Петер-Франц Стадник, Юрій Володимирович Ромака, Любов Петрівна Качаровський, Д. Корж, Роман Орестович Крайовський, Володимир Ярославович Лах, Олег Іванович |
| Ключові слова: | напівпровідник електропровідність електронна структура |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Ромака В. А. Особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик твердого розчину HfNi1-xRuxSn / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Д. Качаровський, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, О. І. Лах // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 2. - С. 325-330. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRuxSn у діапазонах: T = 80÷400 K, Ru NA ≈ 9,5∙1019 см-3 (х = 0,005) ÷ 5,7∙1020 см-3 (х = 0,03). Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеню компенсації напівпровідника і визначає його властивості. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10271 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1502-17.pdf | 713.44 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.