Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10210
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПавлик, Богдан Васильович-
dc.contributor.authorЛис, Роман Мирославович-
dc.contributor.authorДідик, Роман Іванович-
dc.contributor.authorШикоряк, Йосип Андрійович-
dc.date.accessioned2021-06-14T09:47:07Z-
dc.date.available2021-06-14T09:47:07Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationПавлик Б. В. Дослідження змін електропровідності опромінених Х-променями кристалів p-Si в процесі пружної деформації / Б. В. Павлик, Р. М. Лис, Р. І. Дідик, Й. А. Шикоряк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 2. - С. 297-302.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10210-
dc.description.abstractДосліджувались зміни електропровідності опромінених при кімнатній температурі монокристалічних зразків p-Si в процесі їх стиску та зняття механічного навантаження. Виявлено, що під час витримки досліджуваного зразка під навантаженням опір зразка зростає. Виявлено ефект «радіаційної пам’яті». Встановлено, що в процесі опромінення рентгенівськими променями опір зразків зростає пропорційно кореню квадратному із дози опромінення.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectмонокристалічний кремнійuk_UA
dc.subjectодновісна деформаціяuk_UA
dc.subjectомічні контактиuk_UA
dc.subjectрентгенівське опроміненняuk_UA
dc.titleДослідження змін електропровідності опромінених Х-променями кристалів p-Si в процесі пружної деформаціїuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of Conductibility Changes of Irradiated p-Si Crystal by X-rays During the Recoverable Deformationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 15, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1502-12.pdf311.52 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.