DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10210| Title: | Дослідження змін електропровідності опромінених Х-променями кристалів p-Si в процесі пружної деформації |
| Other Titles: | Investigation of Conductibility Changes of Irradiated p-Si Crystal by X-rays During the Recoverable Deformation |
| Authors: | Павлик, Богдан Васильович Лис, Роман Мирославович Дідик, Роман Іванович Шикоряк, Йосип Андрійович |
| Keywords: | монокристалічний кремній одновісна деформація омічні контакти рентгенівське опромінення |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Павлик Б. В. Дослідження змін електропровідності опромінених Х-променями кристалів p-Si в процесі пружної деформації / Б. В. Павлик, Р. М. Лис, Р. І. Дідик, Й. А. Шикоряк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 2. - С. 297-302. |
| Abstract: | Досліджувались зміни електропровідності опромінених при кімнатній температурі монокристалічних зразків p-Si в процесі їх стиску та зняття механічного навантаження. Виявлено, що під час витримки досліджуваного зразка під навантаженням опір зразка зростає. Виявлено ефект «радіаційної пам’яті». Встановлено, що в процесі опромінення рентгенівськими променями опір зразків зростає пропорційно кореню квадратному із дози опромінення. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10210 |
| Appears in Collections: | Т. 15, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1502-12.pdf | 311.52 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.