Концентраційно-розмірні залежності енергії полярону в наноплівках AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs

Abstract

У наближенні діелектричного континууму методом функцій Ґріна досліджено вплив просторового обмеження та взаємодії з оптичними фононами на величину енергії полярону у квантовій ямі скінченної глибини. На прикладі наноплівки – плоскої наногетероструктури з квантовою ямою на основі подвійного гетеропереходу AlxGa1-xAs/GaAs, обчислено енергії зв’язку електронного й діркового поляронів при різних значеннях її товщини та різних концентраціях (x) бар’єрного матеріалу. Показано, що зміна x впливає на енергію зв’язку полярону в ультратонких (до 50 нм) плівках, де її значення формується переважно взаємодією носія з інтерфейсними фононами.