Дослідження особливостей кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину Hf1-xTmxNiSn

Abstract

Досліджено особливості структурних, енергетичних, термодинамічних та кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xTmxNiSn у діапазоні: Т = 80 - 400 К, х = 0 – 0,40. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури сполуки HfNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d84s2) до ~1 % кристалографічної позиції 4а атомів Hf (5d26s2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи. Показано, що уведення атомів Tm упорядковує кристалічну структуру («заліковує» структурні дефекти). Виявлено механізми одночасного генерування структурних дефектів як акцепторної природи при заміщенні атомів Hf(5d26s2) атомами Tm (4f135d06s2), так і донорної як результат появи вакансій у позиції атомів Sn (4b), які визначають механізми електропровідності Hf1-xTmxNiSn.