DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10137| Назва: | Фізико-хімічні властивості і кристалохімічні механізми легування кристалів ZnSe перехідними елементами Co,Ni |
| Інші назви: | Physical-Chemical Properties and Crystal-Chemical Doping Mechanisms of ZnSe Crystal by Co, Ni Transition Elements |
| Автори: | Левкун, М. П. |
| Ключові слова: | цинк селенід точкові дефекти кристалоквазіхімічні формули перехідні метали |
| Дата публікації: | 2014 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Левкун М. П. Фізико-хімічні властивості і кристалохімічні механізми легування кристалів ZnSe перехідними елементами Co,Ni / М. П. Левкун // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 1. - С. 147-154. |
| Короткий огляд (реферат): | На основі аналізу фізико-хімічних властивостей розроблені моделі точкових дефектів у легованих перехідними металами (Со, Ni) кристалах цинк селеніді. На основі запропонованих кристалоквазіхімічних формул розраховано залежності концентрації дефектів, вільних носіїв струму, холівської концентрації від вмісту легуючої домішки. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10137 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 15, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1501-21.pdf | 890.47 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.