Термоелектричні властивості і дефектна підсистема парофазних конденсатів станум телуриду на ситалових підкладках

Abstract

Досліджено термоелектричні властивості тонких плівок SnTe товщиною (40-900) нм, отриманих конденсацією пари у відкритому вакуумі на підкладках із ситалу за різних технологічних факторів вирощування:температур випаровування Тв і осадження Тп та тиcку пари телуру Te 2 P . Показано, що за вибраних умов отримання конденсат має тільки р-тип провідності і характеризуєьбся значною концентрацією носіїв (1020 -1021 )см-3 . Встановлені тенденції у змінах кінетичних коефіцієнтів (питома провідність σ , коефіцієнт Зеєбека S , термоелектрична потужність S2 σ , концентрація носіїв Р і рухливість носіїв μ) конденсатів із товщиною d та зміною Тп , Тв , РТе. Отриманні експериментальні результати пояснено особливостями дефектної підсистеми точкових дефектів, домінуючими серед яких є дво2 VSn - é ù ë û і чотири4 VSn - é ù ë û зарядні вакансії стануму, співвідношення між якими 2 4 Sn Sn k V V - - = é ù é ù ë û ë û визначає весь комплекс властивостей за різних умов їх формування. Визначено, що тонкоплівковий конденсат станум телуриду на відміну від масивних зразків, має високі значення коефіцієнта Зеєбека S ≈ 80 мкВ/К та S2 σ ≈ 18 мкВт/К 2 см, що робить перспективним їх використання для р-віток у термоелектричних мікромодулях.