Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10127
Title: | Фотолюмінесценція поруватих nc-Si/SiOx структур, імплантованих іонами вуглецю |
Other Titles: | Photoluminescence nc-Si/SiOx Porous Structures Implanted Carbon Ions |
Authors: | Литовченко, Володимир Григорович Мельник, Віктор Павлович Попов, Валентин Георгійович Федулов, Г. В. Данько, Віктор Андрійович Індутний, Іван Захарович Михайловська, Катерина Василівна Шепелявий, П. Є. |
Keywords: | фотолюмінесценція імплантація нанокластери поруваті nc-Si/SiOx структури |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Литовченко В. Г. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si/SiOx структур, імплантованих іонами вуглецю / В. Г. Литовченко, В. П. Мельник, В. Г. Попов, Г. В. Федулов , В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15. - № 1. - С. 107-111. |
Abstract: | Проведені дослідження впливу імплантації іонів вуглецю на фотолюмінесценцію (ФЛ) поруватих ncSi/SiOx шарів з колоноподібною структурою, сформованих за допомогою осадження у вакуумі під ковзним кутом (glance angle deposition) і подальшого високотемпературного відпалу плівок SiОx. Встановлено, що спектр ФЛ імплантованих структур охоплює майже всю видиму та ближню ІЧ область і включає дві основні складові з максимумами в області 520 - 570 та 620 – 680 нм. Довгохвильова смуга ФЛ пов'язана з наночастками кремнію, а випромінювання у видимій області спектру може бути зумовлене люмінесценцією вуглецевих преципітатів та SiC нанокластерів. В результаті селективного травлення таких структур у парах HF інтенсивність ФЛ в усьому спектральному інтервалі значно зростає (до двох порядків) внаслідок пасивації центрів безвипромінювальної рекомбінації. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/10127 |
Appears in Collections: | Т. 15, № 1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1501-16.pdf | 131.84 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.